专利详情

专利名称	一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法
申请号	CN201610227869.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105870245A	公开（授权）日	2016.08.17
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	何军;许凯;王振兴
主分类号	H01L31/113(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/113(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法至一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管及其制备方法，属于无机半导体纳米材料技术和器件应用领域。本发明通过采用界面调控的方法，蒸镀一层金属层作为成核点，生长高k介电常数的氧化铪层，从而制备顶栅结构的超薄硫化铪光电晶体管。本发明的方法具有工艺简单、操作方便，可控性高、成本低和速度快等优点，便于规模化推广。本发明的光电晶体管显示出n型传输特性和优异的栅极调控能力，亚阈值摆幅可低至95mV/dec，漏电流可低至1pA/μm。同时，器件的光响应时间短，而且保持了长时间的稳定性，响应时间和响应度分别可达650ms和45mA/W。