一种ITO薄膜的制备方法
- 申请号：CN201410768358.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN105776882A
- 公开(公开)日：2016.07.20
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种ITO薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410768358.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105776882A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 周腾;陈征;崔铮 |
| 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/23(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种ITO薄膜的制备方法 至一种ITO薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法，其包括：将ITO纳米晶直接分散在极性有机溶剂中形成ITO纳米晶分散液，再将所述ITO纳米晶分散液于基底表面成膜，之后烘干，并以水清洗，而后再次烘干，最后在150℃～300℃下退火1h以上，形成所述ITO薄膜。本发明采用特殊的ITO纳米晶制取工艺，并通过在旋涂成膜过程中加入了水洗这一步骤，有效地提高了ITO薄膜的电导，特别是在低温处理下获得了具有高电导率的ITO薄膜。本发明制备ITO薄膜的方法无需真空、高温等苛刻条件，简单易行，适用于低温下的应用。 | ||
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