专利详情

专利名称	一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法
申请号	CN201510024107.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105839189A	公开（授权）日	2016.08.10
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	孟祥敏;王磊;黄兴;夏静;黄奔;朱丹丹
主分类号	C30B29/64(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/64(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I
专利有效期	一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法至一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片，所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得，相比于其它的ZnO纳米片，本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好，更便于剥离使用。本发明还公开了二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉、衬底放入管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品，衬底上生长了原子层厚度的ZnO纳米片。该方法制备步骤简单、耗时少、重复性高。