专利详情

专利名称	有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用
申请号	CN201510172669.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106159092A	公开（授权）日	2016.11.23
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	胡文平;徐春晖;甄永刚;董焕丽;张小涛
主分类号	H01L51/30(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;C07D495/04(2006.01)I
专利有效期	有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用至有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用。制备包括：在水面滴注有机半导体化合物溶液，待溶剂挥发后，在水面上得到有机半导体二维分子晶体晶核；在水面上的所述有机半导体二维分子晶体晶核处继续滴注所述有机半导体化合物溶液，静置，在水面上得到所述有机半导体二维分子晶体材料。所述有机半导体二维分子晶体材料在制备场效应晶体管器件中的应用也属于发明的保护范围。本发明利用水面以及水面上预先形成的籽晶作为生长核心，经溶液自组装，在水面上生长出大面积的二维分子晶体结构，用这些二维分子晶体结构制备的场效应晶体管具有较高的载流子迁移率与较低的阈值电压。