一种X射线波带片的制备方法
- 申请号：CN201710957398.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN107833649A
- 公开(公开)日：2018.03.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种X射线波带片的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201710957398.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN107833649A | 公开（授权）日 | 2018.03.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 孔祥东;门勇;李艳丽;许壮;韩立 |
| 主分类号 | G21K1/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G21K1/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种X射线波带片的制备方法 至一种X射线波带片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种X射线波带片的制备方法，采用原子层沉积(ALD)方法在直径为微米级的金属丝表面交替沉积氧化铝/氧化铪，或者氧化铝/铱等两种密度不同、厚度不同的薄膜，即第一层沉积氧化铝薄膜，第二层沉积氧化铪薄膜或铱薄膜，如此交替循环，形成一系列同心圆环。镀膜完成后利用聚焦离子束对镀膜后金属丝进行切割、抛光，最终得到所需厚度和精度的波带片。本发明适合于多种波带片的制备。 | ||
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