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一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法

  • 申请号:CN201711448617.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 公开(公开)号:CN107872006A
  • 公开(公开)日:2018.04.03
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法
申请号 CN201711448617.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107872006A 公开(授权)日 2018.04.03
申请(专利权)人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明(设计)人 贾鹏;陈泳屹;秦莉;张建伟;宁永强;王立军
主分类号 H01S5/18(2006.01)I IPC主分类号 H01S5/18(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I
专利有效期 一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法 至一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明实施例公开了一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法。器件包括设置在外延片P面的波导结构和外延片结构。波导结构包括光源模块、光束分离波导、增益列阵、光栅结构;光束分离波导将光源模块出射的单模单频激光光束进行分束;增益列阵将各子光束进行增益放大,光栅结构将增益放大的子光束衍射为沿相互垂直方向传播的二阶衍射光和一阶衍射光,二阶衍射光沿着传播方向振荡增益,一阶衍射光沿传播方向从出光孔激射;从外延片的N型衬底向上依次包括N型包层、N型光波导层、有源区、P型光波导层、P型包层;出光孔和N面金属电极设置在N型衬底的下表面,P面金属电极设置在P型包层上表面。本申请实现了高功率、高相干性激光输出。

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