专利详情

专利名称	一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法
申请号	CN201610338812.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107400920A	公开（授权）日	2017.11.28
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	张思敏;夏洋;卢维尔;程嵩;李楠
主分类号	C30B25/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I
专利有效期	一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法至一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法，属于半导体技术领域，本发明实施例通过将清洗好的衬底放入反应腔室中；开启罗茨泵和前级泵，并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热，在加热的过程中吹载气；当所述腔室壁的温度达到第一预定温度时，关闭载气，并开启分子泵；当所述腔室壁的温度达到第二预定温度时，关闭所述分子泵，并打开载气；当所述样品盘温度在第一温度范围内变化，且，所述载气通道和所述腔室壁在第二温度范围内变化时，开始后续沉积工艺的技术手段，实现了较好制备单晶氧化锌薄膜的技术效果。