专利详情

专利名称	封闭结构、其制作方法与器件
申请号	CN201810553113.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108609574A	公开（授权）日	2018.10.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	焦斌斌;孔延梅;云世昌;叶雨欣;陈大鹏
主分类号	B81B7/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	封闭结构、其制作方法与器件至封闭结构、其制作方法与器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请提供了一种封闭结构、其制作方法与器件。该制作方法包括：形成预封闭结构，预封闭结构包括第一基底和第二基底，第一基底具有第一待封装部和介质填充槽，第二基底具有第二待封装部，介质填充槽的槽壁与第二基底在第一方向上具有第一间隔，第一待封装部的侧壁与第二待封装部的侧壁在第一方向上具有第二间隔，第一待封装部与第二待封装部之间形成容纳空间，预封闭结构还包括至少两个金属部，金属部的至少部分位于容纳空间内；加热预封闭结构，使得至少两个金属部中的至少两种金属发生共晶反应，形成共晶部，共晶部将第二间隔封闭，形成封闭结构，共晶部的熔点高于发生共晶反应的任一种金属的熔点。该制作形成的封闭结构的可靠性较高。