专利详情

专利名称	一种利用多晶材料制备单晶电容的方法
申请号	CN201810441359.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN108598261A	公开（授权）日	2018.09.28
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	王超;赵云驰;魏红祥;孙阳
主分类号	H01L49/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L49/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种利用多晶材料制备单晶电容的方法至一种利用多晶材料制备单晶电容的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种利用多晶材料制备单晶电容的方法，包括：(1)在衬底上制备电容的测试电极；(2)利用聚焦离子束?电子束双束系统的电子束背散射衍射标定并选取多晶材料中的单晶颗粒；(3)利用聚焦离子束?电子束双束系统的聚焦离子束在单晶颗粒上刻蚀出两个平行沟槽并在其中沉积电绝缘保护层，提取具有电绝缘保护层的单晶颗粒；(4)从单晶颗粒的除了具有电绝缘保护层之外的一侧或相对的两侧刻蚀单晶颗粒至目标厚度；(5)以任意的顺序，进行步骤(a)和(b)，从而制得电容：(a)在单晶颗粒的、除了具有电绝缘保护层之外的两侧形成电容电极；(b)刻蚀去除单晶颗粒上部多余的部分；(6)将电容电极与测试电极连接。