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一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用

  • 申请号:CN201710414310.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
  • 公开(公开)号:CN107354509A
  • 公开(公开)日:2017.11.17
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用
申请号 CN201710414310.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107354509A 公开(授权)日 2017.11.17
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 发明(设计)人 陈俊锋;杜勇;王绍华;孙世允;周学农;李翔
主分类号 C30B29/12(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/12(2006.01)I;C30B11/02(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B28/10(2006.01)I;G01T1/202(2006.01)I
专利有效期 一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用 至一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用,所述掺钇氟化钡晶体的化学组成为Ba(1?x)YxF2+x,其中0.01≤x≤0.50。本发明的BaF2晶体闪烁性能得到改善,钇掺杂可以极大地抑制BaF2晶体的慢发光分量,具有优异的快/慢闪烁分量比,该掺杂晶体与光探测器耦合制作成闪烁探头,适用于高能物理、核物理、超高速成像和核医学成像等高时间分辨辐射领域。

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