氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法
- 申请号：CN98124659.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院山西煤炭化学研究所
- 公开(公开)号：CN1084481C
- 公开(公开)日：20000517
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN98124659.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1084481C | 公开（授权）日 | 20000517 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 发明（设计）人 | 孙予罕;吴东;范文浩;徐耀;孙继红 |
| 主分类号 | G02B1/10 | IPC主分类号 | |
| 专利有效期 | 氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法 至氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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